流程

程序EFUSE 流程

写 otp 只有一种模式，即寄存器写模式。你应该配置 ctrl[28:21]，这是要写入内容的第一位地址。然后， 代码将自动写入所有位，但在此之前，您应已将数据写入数据寄存器。

第一步：将想要的编程数据写入 EFUDATA 寄存器；

第二步：设置控制寄存器，指示要编程的地址和数据长度；

第三步：根据当前时钟频率设置配置寄存器。EFUSE 控制器默认支持 200Mhz，其他时钟频率需要根 据公式计算出合适的 WR_ADJ 和 WR_STROBE 调整时序；

举例：假设当前时钟频率为 210Mhz，一个时钟周期为 4.76ns。（772+WR_ADJ*2+1）*4 >=3800ns， 算出 WR_ADJ 为 13；10800ns<=(2400+WR_ADJ+WR_STROBE)*4.76<=13200ns，算出 WR_STROBE 为-144~360，受 WR_STROBE 位宽的限制，WR_STROBE 范围在-144~256。

第四步：连接 AVDD 管脚到 1.8V；

第五步：等待 1us；

第六步：将控制寄存器 WR_EN 位写 1；

第七步：等待状态寄存器 WR_DONE 变为 1，并写零清除；

第八步：将 AVDD 管脚的 1.8V 断开。

1. 在 EFUSE 程序启动前，不要过早对 AVDD 预充电。向 AVDD 提供 1.8V 电压的最大时间必须严格控制在 1 秒以内。
2. 如果要写入第 2 段（Protection），第 3 段（Special Function）、第 4 段（Protection Bak）、第 10 段（PSRAM_INIT_PROT）和第 37 段（Special Function），你应该在配置 EFUCFG 寄存器之前配置 EFUSPEEN 寄存器。在写完后，将其读出来相应信号才会生效，注意在读出来之前也要配置 EFUSPEEN 寄存器。
3. 如果在写第 2 段时想要将相同的数据写入第 4 段，那么在步骤三，你需要去配置 EFUCTRL.Redn 为 1。
4. 不可跨段写入。

读取EFUSE 流程

读取 otp 有两种模式，一种是寄存器读模式，另一种是通过 AHB 映射读模式。寄存器读模式：应配 置 ctrl[28:21]，这是要读取数据的第一位地址。然后控制器将自动读取所有位。您可以读取数据寄存器来获 取读数据。AHB 映射读模式： EFUSE 2048 位映射到芯片内存地址，从 0x13540200 到 0x135402FF。

例如：如果要读取第 2 段，其映射地址为 0x20C，则可以读取 0x1354020C 的地址。

以下为寄存器读模式的配置要求。

第一步：设置控制寄存器，指示要读的地址和数据长度；

第二步：根据当前时钟频率设置配置寄存器。EFUSE 控制器默认支持 24Mhz，其他时钟频率需要根据 公式计算出合适的 RD_ADJ 和 RD_STROBE 调整时序；

假设当前时钟频率为 210Mhz， （101+RD_ADJ + 1）*4.76>=500ns，算出 RD_ADJ 至少为 3；（1 02+RD_ADJ+RD_STROBE+1）*4.76>=500ns，算出 RD_STROBE 至少为 0。

第三步：将控制寄存器 RD_EN 位写 1，并写零清除；

第四步：等待状态寄存器 RD_DONE 设置为 1 或 EFUSE 中断，软件应用程序即可读取 EFUDATA 寄存器。

1. 芯片复位时，EFSUE 控制器将自动读取 第 1、2、3、4、10、37 段，并更新 EFUSE 状态寄存器。若保护段中 UKEY_RST_RD 为 0，自动读取完上述段后，还会读取 OS KEY 和 User Key 段。
2. 第 2/3/4/10/37 段的信号被写 1 后，需执行一次寄存器读或映射读操作将信号加载到控制器内部寄 存器，才可以实现保护或使能作用。

注意事项

1. 特殊的，控制器在复位释放后会自动读取 EFUSE，在 BOOTROM 阶段用户要等到 RD_DONE 为 1 才可以对 EFUSE 进行读写控制，否则会出现不可预测的错误。
2. EFUSE 的读写不能同时进行。
3. AES 直通读取 EFUSE，和 EFUSE 控制器直接读写 EFUSE 不能同时进行。也就是说在 AES 直 通读取 EFUSE 时，如果此时用户要用控制器读写 EFUSE 一定要等到 AES 直通读取结束；在用控制器读 写 EFUSE 时，如果此时用户要用 AES 直通读取 EFUSE 一定要等到控制器读写结束。