USER GUIDE / MEMORY / PSRAM / OVERVIEW
概述
XSY_PSRAM_CTRL 是一种 PSRAM 控制器,提供低引脚数、低功耗、具有成本效益且高性能的 PSRAM 或 HyperRAM 接口,速度可达 250 MHz。它设计支持多种内存类型,以满足物联网、可穿戴设备和智能家居等不同应用场景的需求。
特性
XSY_PSRAM_CTRL 支持以下接口和特性:
支持自动初始化流程
初始化流程中支持模式寄存器自动加载
通过 APB 接口访问模式寄存器
支持自动进入和退出半睡眠模式
通过寄存器强制进入和退出半睡眠模式
通过寄存器强制进入和退出深度低功耗模式
支持 RBX 功能(前提是 PSRAM 颗粒具备 RBX 能力)
结构框图
PSRAMC 的主要模块框图如图 1 所示。通过宏定义可选择 AHB 或 AXI 接口与 PSRAM 阵列数据进行交互。APB 接口用于配置 PSRAMC 寄存器及 PSRAM 模式寄存器(MR)。命令合并模块(CMD Merge)和命令队列模块(CMD Queue)的设计主要用于存储和排序来自 AXI/AHB 总线或 BIST(内置自测试)的命令与数据,其中数据存储空间可由外部 SRAM 替代以降低面积占用(使用 AXI 接口时,外部 SRAM 工作在控制时钟域 ctrl_clk;使用 AHB 接口时则工作在 hclk 时钟域)。时序处理模块(Timing Handle)包含 PSRAMC 与 PSRAM 的初始化操作,以及各类 PSRAM 参数的复杂时序控制等。数字物理层模块(Digital PHY)负责正确收发 PSRAM 信号,包含读写双向的数字延迟锁相环(DLLs)(该模块完全由数字单元构成)。内置自测试(BIST)通过寄存器控制提供附加的自检功能,用于验证 PSRAMC 数据通路的完整性。
