USER GUIDE / MEMORY / PSRAM / REGISTER DESCRIPTION
寄存器描述
CTRL_REG (Address: 0x00)
CTRL_REGBASE + 0x00
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:1 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 0 | CTRL_EN | 控制器使能位。 完成所有必要配置后,向该位写入1'b1以启动控制器工作。 该位仅在PSRAMC首次初始化或控制器复位(通过ctrl_rst_n信号) 后使用。 | W |
CFG_REG(Address: 0x04)
CFG_REGBASE + 0x04
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | PSRAM_RESET | DUAL_X8_EN | DUAL_DM_EN | Reserved | PSRAM_TYPE | X8_MODE | ||||||||||||||||||||||||||
| RST | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31 | PSRAM_RESET | 写入 1'b0 将通过拉低 PSRAM 的 RESET 引脚实现器件复位。该功能不适用于 APS3208K/APS256XXN/APS51208N 系列器件 | RW |
| 30 | DUAL_X8_EN | 双 x8 颗粒组合使能。仅支持 APS3208K;置 1 时必须同时将 X8_MODE 置 0,并配置 dq[15:8] 相关寄存器 | RW |
| 29 | DUAL_DM_EN | 双 APS3208K 数据掩码端口模式选择。仅在该型号且启用双 x8 模式时有效 | RW |
| 28:5 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 4:1 | PSRAM_TYPE | 选择内存型号。 | RW |
| 0 | X8_MODE | 选择数据位宽:0=x16,1=x8。 | RW |
AHB_INCR(Address: 0x08)
AHB_INCRBASE + 0x08
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:13 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 12 | AHB_SIDEBAN D_EN | AHB增量突发传输长度控制使能 1'b0:禁用通过边带信号hlen_incr指定突发传输节拍数 1'b1:启用通过边带信号hlen_incr指定突发传输节拍数 注: 本功能仅在以下条件同时满足时生效: - 使用AHB总线INCR类型突发传输 - 已定义宏PSRAM_CTRL_AHB_HLEN_INCR_USE 当 AHB_SIDEBAND_EN 使 能 时 , 其 优 先 级 高 AHB_INCR_LENGTH_EN | RW |
| 11 | AHB_INCR_LE NGTH_EN | AHB增量突发传输节拍数控制使能 1'b0:禁用通过AHB_INCR_LENGTH字段指定突发传输节拍数 1'b1:启用通过AHB_INCR_LENGTH字段指定突发传输节拍数 注:本功能仅适用于AHB总线INCR类型突发传输 | RW |
| 10:0 | AHB_INCR_LE NGTH | AHB增量突发传输节拍数设定(非固定长度) 注: 本字段仅适用于AHB总线INCR类型突发传输 应在控制器初始化阶段完成配置,AHB总线传输过程中禁止修改该 参数 | RW |
WAIT_REG(Address: 0x0C)
WAIT_REGBASE + 0x0c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:20 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 19:16 | WR_MAX_WAIT | 当写命令在命令缓冲区中滞留超过WR_MAX_WAIT时钟周期时, 控制器将执行该挂起写命令 本功能不适用于AHB总线接口 | RW |
| 15:4 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 3:0 | RD_MAX_WAIT | 当读命令在命令缓冲区中滞留超过RD_MAX_WAIT时钟周期时, 控制器将执行该挂起读命令 本功能不适用于AHB总线接口 | RW |
SERVICE_REG(Address: 0x10)
SERVICE_REGBASE + 0x10
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | WR_MAX_SERVICE | Reserved | RD_MAX_SERVICE | ||||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:20 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 19:16 | WR_MAX_SERVICE | 连续写服务次数达到该值且存在待处理读命令时,下一命令周期优先执行读命令。 | RW |
| 15:4 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 3:0 | RD_MAX_SERVICE | 连续读服务次数达到该值且存在待处理写命令时,下一命令周期优先执行写命令。 | RW |
RFIFO_CTRL (Address: 0x14)
RFIFO_CTRLBASE + 0x14
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:20 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 19:16 | E_READ_DELA Y_NUM | 控制器在读延迟结束后,将额外延迟E_READ_DELAY_NUM个时 钟周期再读取数字物理层的异步FIFO以获取存储器阵列的读取值。 | RW |
| 15:4 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 3:0 | MR_READ_DE LAY_NUM | 控制器在读延迟结束后,将额外延迟MR_READ_DELAY_NUM 个 时钟周期再读取数字物理层的异步FIFO,以获取模式寄存器的读取 值。 | RW |
DLL_LOCK_CTRL (Address: 0x18)
DLL_LOCK_CTRLBASE + 0x18
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | RDLL1_INIT_STATUS | Reserved | RDLL1_DELAY_BACK | RDLL1_DELAY_INIT | RDLL0_INIT_STATUS | Reserved | RDLL0_DELAY_BACK | RDLL0_DELAY_INIT | WDLL_INIT_STATUS | Reserved | WDLL_DELAY_BACK | WDLL_DELAY_INIT | Reserved | FINE_MAX_NUM | COARSE_MAX_NUM | |||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31 | RDLL1_INIT_STATUS | RDLL1 校准就绪状态指示;读取该位将自动清除当前状态值。 | RC |
| 30 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 29:27 | RDLL1_DELAY_BACK | RDLL1 校准边界回滚值,禁止随意修改。 | RW |
| 26:24 | RDLL1_DELAY_INIT | RDLL1 初始化延迟值,禁止随意修改。 | RW |
| 23 | RDLL0_INIT_STATUS | RDLL0 校准就绪状态指示;读取该位将自动清除当前状态值。 | RC |
| 22 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 21:19 | RDLL0_DELAY_BACK | RDLL0 校准边界回滚值,禁止随意修改。 | RW |
| 18:16 | RDLL0_DELAY_INIT | RDLL0 初始化延迟值,禁止随意修改。 | RW |
| 15 | WDLL_INIT_STATUS | WDLL 校准就绪状态指示;读取该位将自动清除当前状态值。 | RC |
| 14 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 13:11 | WDLL_DELAY_BACK | WDLL 校准边界回滚值,禁止随意修改。 | RW |
| 10:8 | WDLL_DELAY_INIT | WDLL 初始化延迟值,禁止随意修改。 | RW |
| 7:5 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 4:2 | FINE_MAX_NUM | 精细检测阶段完成阈值,设定值必须大于 0。 | RW |
| 1:0 | COARSE_MAX_NUM | 粗调检测阶段完成阈值,设定值必须大于 0。 | RW |
DLL_DELAY_CTRL (Address: 0x1c)
DLL_DELAY_CTRLBASE + 0x1c
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | RDLL1_DELAY | RDLL1_DELAY_WR | Reserved | RDLL0_DELAY | RDLL0_DELAY_WR | Reserved | WDLL_DELAY | WDLL_DELAY_WR | |||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:29 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 28:21 | RDLL1_DELAY | 读方向 DLL1 实现 90 度相位校准所需的延迟链长度,仅支持 x16 模式。 | RW |
| 20 | RDLL1_DELAY_WR | 指示存在新的延迟控制信息需写入读方向 DLL1 延迟链。 | W |
| 19 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 18:11 | RDLL0_DELAY | 读方向 DLL0 实现 90 度相位校准所需的延迟链长度。 | RW |
| 10 | RDLL0_DELAY_WR | 指示存在新的延迟控制信息需写入读方向 DLL0 延迟链。 | W |
| 9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:1 | WDLL_DELAY | 写方向 DLL 实现 90 度相位校准所需的延迟链长度。 | RW |
| 0 | WDLL_DELAY_WR | 指示存在新的延迟控制信息需写入写方向 DLL 延迟链。 | W |
RE_INIT (Address: 0x20)
RE_INITBASE + 0x20
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:3 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 2 | RE_CAL_DELAY | PHYDLL延迟相位重校准触发 置位该位将启动DLL延迟相位重校准流程 | RW |
| 1 | RE_INIT_PSRAM | PSRAM重新初始化触发 置位该位将启动PSRAM重新初始化流程 | RW |
| 0 | RE_INIT_PHY | PHY重新初始化触发 置 位 该 位 将 启 动 控 制 器 的 重 新 初 始 化 流 程 , 即 执 行 RE_INIT_PSRAM和RE_CAL_DELAY。 | RW |
LOW_POWER_CTRL(Address: 0x24)
LOW_POWER_CTRLBASE + 0x24
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:5 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 4 | FORCE_CLOSE_HS | 强制关闭PSRAM的半睡眠模式 仅对APS3208K-OTx有效 | RW |
| 3 | FORCE_EXIT_DPD | 强制PSRAM退出深度低功耗模式 不适用于APS3208K | RW |
| 2 | FORCE_EXIT_HS | 强制PSRAM退出半睡眠模式 不适用于APS3208K-OKUD | RW |
| 1 | FORCE_ENTRY_DPD | 强制PSRAM进入深度低功耗模式 不适用于APS3208K | RW |
| 0 | FORCE_ENTRY_HS | 强制PSRAM进入半睡眠模式 不适用于APS3208K-OKUD | RW |
TPU(Address: 0x28)
TPUBASE + 0x28
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | CLK_NUM | 当系统在TPU(温度/电压/使用条件)异常后需复位PSRAM时, 指定复位信号有效所需的时钟周期数 本功能仅适用于APS3208K系列PSRAM器件 | RW |
| 20:0 | TPU | PSRAM数据手册中定义的tPU(对应Winbond的tVCS)参数对应的 时钟周期数加1 | RW |
TRST (Address: 0x2c)
TRSTBASE + 0x2c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | TRCH | 表示tRCH-tRST,等于datasheet中的时间对应的时钟周期数,该 参数仅用于APS6408L-OBx9,对于其他模型,应将该参数置零 | RW |
| 15:11 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 10:0 | TRST | PSRAM数据手册中定义的tPU(对应Winbond的tRPH)参数对应 的时钟周期数加1 | RW |
TCEM (Address: 0x30)
TCEMBASE + 0x30
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | TCEM | 该寄存器值根据 PSRAM 数据手册中 tCEM(对应 Winbond 的 tCSM)参数计算得出,计算公式: 当RBX_EN=0时: CEM_CYCLES =ceil(tCEM/tCK) - RCMD_DUMMY-3 当RBX_EN=1时: CEM_CYCLES = ceil(tCEM/tCK) - RCMD_DUMMY - 3 - 2×RBX_WAIT | RW |
THS_INIT (Address: 0x34)
THS_INITBASE + 0x34
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20:0 | THS_INIT | THS_INIT时钟周期过后,PSRAM准备进入半睡眠模式。 不适用于APS3208K-OKUD/Winbond | RW |
TDPD_INIT (Address: 0x38)
TDPD_INITBASE + 0x38
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20:0 | TDPD_INIT | TDPD_INIT时钟周期过后,PSRAM准备进入半睡眠模式。 不适用于APS3208K/Winbond | RW |
MR_INIT (Address: 0x3c)
MR_INITBASE + 0x3c
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | INIT_MRC | INIT_MR8 | INIT_MR4 | INIT_MR0 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:24 | INIT_MRC | CR1[15:8] 的初始值,仅适用于 Winbond 系列。 | RW |
| 23:16 | INIT_MR8 | PSRAM 模式寄存器 MR8 的初始值。 | RW |
| 15:8 | INIT_MR4 | PSRAM 模式寄存器 MR4 的初始值。 | RW |
| 7:0 | INIT_MR0 | PSRAM 模式寄存器 MR0 的初始值。 | RW |
MR0 (Address: 0x40)
MR0BASE + 0x40
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | MR0 | MR0(对应Winbond的CR0),详情参考PSRAM数据手册。 对于Winbond器件,100MHz以下的读写延迟需要按照100MHz的 配置来设置。 | RW |
MR1 (Address: 0x44)
MR1BASE + 0x44
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | MR1 | MR1(对应Winbond的IR0),详情参考PSRAM数据手册。 | R |
MR2 (Address: 0x48)
MR2BASE + 0x48
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | MR2 | MR2(对应Winbond的IR1),详情参考PSRAM数据手册。 | R |
MR3 (Address: 0x4c)
MR3BASE + 0x4c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | MR3 | MR3,详情参考PSRAM数据手册。 不适用于APS3208K/Winbond | R |
MR4 (Address: 0x50)
MR4BASE + 0x50
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | MR4 | MR4(对应Winbond的CR1),详情参考PSRAM数据手册。 | RW |
MR8 (Address: 0x54)
MR8BASE + 0x54
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:0 | MR8 | MR8,详情参考PSRAM数据手册。 不适用于APS3208K/Winbond 对于APS03208E,该参数对应于MR6 | RW |
COMMAND_TIMING (Address: 0x58)
COMMAND_TIMINGBASE + 0x58
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:26 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 25:16 | TCPH | 表示tCPH(对应Winbond的TRWR),参考PSRAM数据手册。 若计算结果为小数,向上取整至最近的整数 | RW |
| 15:10 | Reserved | 写无效,读出0。 | R |
| 9:0 | TRC | 表示tRC,参考PSRAM数据手册。 不适用于Winbond。 | RW |
RW_LATENCY (Address: 0x5c)
RW_LATENCYBASE + 0x5c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:30 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 29:24 | WL_DEFAULT | PSRAM上电初始化阶段的默认写延迟周期数 本功能仅适用于APS3208K系列PSRAM 寄存器值必须设置为数据手册标称值加1 | RW |
| 23:22 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 21:16 | WL | 固定写延迟配置 PSRAM写操作时的固定延迟周期数,参考PSRAM数据手册 APS3208K系列:WL= 数据手册标称值 +1 Winbond系列:当工作频率< 100MHz时,延迟值按100MHz标准 计算 | RW |
| 15:6 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 5:0 | RL | PSRAM读操作时的固定延迟周期数,参考PSRAM数据手册 对于Winbond系列,当工作频率< 100MHz时,延迟值按100MHz 标准计算 | RW |
INITIAL_STATUS (Address: 0x60)
INITIAL_STATUSBASE + 0x60
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:4 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 3 | DPD_INITIAL | 准备好进入深度低功耗模式。 不适用于APS3208K/APS03208E/Winbond。 | R |
| 2 | HS_INITIAL | 准备好进入半睡眠模式。 不适用于APS3208K-OKUD/APS03208E/Winbond | R |
| 1 | PSRAM_INITIAL | PSRAM初始化完成。 | R |
| 0 | PHY_INITIAL | PHY初始化完成。 | R |
IDLE_WAIT (Address: 0x64)
IDLE_WAITBASE + 0x64
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | DISABLE_ENTRY_HS | IDLE_WAIT_TIME | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31 | DISABLE_ENTRY_HS | 无论控制器空闲时长如何,均禁止自动进入半睡眠模式。APS3208K-OKUD / APS03208E 必须置 1。 | RW |
| 30:0 | IDLE_WAIT_TIME | 控制器持续空闲达到该时钟周期数时,PSRAM 自动进入半睡眠模式。 | RW |
THS (Address: 0x68)
THSBASE + 0x68
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20:0 | THS | 表示tHS(对应Winbond的tHSIN,W955D8MKY除外),THS= ceil(tHS /tCK) +6 W955D8MKY型号:固定配置为5 不适用于APS3208K-OKUD | RW |
TXPHS (Address: 0x6c)
TXPHSBASE + 0x6c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:6 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 5:0 | TXPHS | 表示tXPHS(对应除W955D8MKY 之外的Winbond 系列的tCSHS, 对应W955D8MKY的tHSMXC),TXPHS= ceil(tXPHS /tCK) + 4 不适用于APS3208K-OKUD | RW |
TXHS (Address: 0x70)
TXHSBASE + 0x70
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20:0 | TXHS | 表 示 tXHS( 对 应 除 W955D8MKY 之 外 的 Winbond 系 列 的 tEXTHS+tCSHS,对应 W955D8MKY tHSMXC+tHSMX),TXHS = ceil(tXHS /tCK) + 4 不适用于APS3208K-OKUD | RW |
TDPD (Address: 0x74)
TDPDBASE + 0x74
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20:0 | TDPD | 表示tDPD(对应Winbond的tDPDIN),TDPD =ceil(tDPD /tCK) +8 不适用于APS3208K | RW |
TXPDPD (Address: 0x78)
TXPDPDBASE + 0x78
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:6 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 5:0 | TXPDPD | 表 示 tXPDPD( 对 应 除 W955D8MKY 之 外 的 Winbond 系 列的 tCSDPD,对应W955D8MKY的tDPDCSL),TDPD=ceil(tXPDPD/ tCK) + 4 不适用于APS3208K | RW |
TXDPD (Address: 0x7c)
TXDPDBASE + 0x7c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20:0 | TXDPD | 表示tXDPD(对应除W955D8MKY之外的Winbond系列的tEXTDPD +tCSDPD,对应W955D8MKY的tDPDOUT+tDPDCSL),TXDPD= ceil(tXDPD /tCK) +8 不适用于APS3208K | RW |
TCQLZ (Address: 0x80)
TCQLZBASE + 0x80
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | DQS1_CTRL | Reserved | TLZ1 | Reserved | TLZ0 | ||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24 | DQS1_CTRL | 读数据期间使能 dqs1_gating;x16 模式执行 SCB18X 128XX 时必须置 1。 | RW |
| 23:22 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 21:16 | TLZ1 | 时钟上升沿到 DQS1 变低的延迟,仅适用于 x16 模式。 | RW |
| 15:6 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 5:0 | TLZ0 | 时钟上升沿到 DQS0 变低的延迟。 | RW |
CSN_DUMMY (Address: 0x84)
CSN_DUMMYBASE + 0x84
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | DQS_GATING_START | Reserved | WCMD_DUMMY | Reserved | RCMD_DUMMY | ||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:15 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 14:12 | DQS_GATING_START | 所有数据读取完成后,DQS 门控开始之前的时间。 | RW |
| 11:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:6 | WCMD_DUMMY | 写入期间 CSN 额外保持低电平的时钟周期数;APS3208K 应额外增加 1 个时钟周期。 | RW |
| 5:4 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 3:0 | RCMD_DUMMY | 读取期间 CSN 额外保持低电平的时钟周期数;该值应为 6 + DQS_GATING_START。 | RW |
RWDS_CTRL (Address: 0x88)
RWDS_CTRLBASE + 0x88
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | H_RWDS_LATCH | Reserved | H_TDSZ | H_RDWS_WAIT | H_FIX_LATENCY | ||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8 | H_RWDS_LATCH | 选择 RWDS 或 0 作为 ICG 输入,仅适用于 Winbond。 | RW |
| 7 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 6:4 | H_TDSZ | tDSZ 配置,参考 PSRAM 数据手册规格值/时钟周期。 | RW |
| 3:1 | H_RDWS_WAIT | 可变读写延迟下,CS# 变低后锁存 RWDS 前延迟的时钟周期数。 | RW |
| 0 | H_FIX_LATENCY | 选择可变或固定读写延迟。 | RW |
MEMORY_RESET (Address: 0x8c)
MEMORY_RESETBASE + 0x8c
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | S_FORCE_RESET | Reserved | H_FORCE_RESET | ||||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:17 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 16 | S_FORCE_RESET | 写入 1 强制 PSRAM 进入软件复位;仅用于指定 Winbond 器件。 | RW |
| 15:1 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 0 | H_FORCE_RESET | 写入 1 强制 PSRAM 进入硬件复位;不适用于列出的 APS 系列器件。 | RW |
TRP (Address: 0x90)
TRPBASE + 0x90
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:8 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 7:0 | TRP | 表示 tRP,其值应为 PSRAM 数据手册中规定的时间(以时钟周期 为单位)加 1。 不适用于 APS3208K/APS256XXN/APS256yyN/APS51208N。 | RW |
TRWR (Address: 0x94)
TRWRBASE + 0x94
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:8 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 7:0 | TRWR | 表示正常读/写操作之间 CS# (片选信号) 高电平时间,其值应为 PSRAM 数据手册中规定的 tRWR(以时钟周期为单位)减 2。 仅适用于 Winbond。 计算结果应向上取整到下一个整数,且最终值必须大于 0。 | RW |
DLL_DELAY_CNT (Address: 0x98)
DLL_DELAY_CNTBASE + 0x98
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:24 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 23:16 | RDLL1_DELA Y_CNT | 延迟链90度相位校准后延迟计数,用于读取DLL1。 仅适用于x16模式。 | R |
| 15:8 | RDLL0_DELA Y_CNT | 延迟链90度相位校准后延迟计数,用于读取DLL0。 | R |
| 7:0 | WDLL_DELA Y_CNT | 延迟链90度相位校准后延迟计数,用于写入DLL。 | R |
MAIN_FSM_STATE (Address: 0x9c)
MAIN_FSM_STATEBASE + 0x9c
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:4 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 3:0 | M_STATE | 表示PSRAM控制器状态机的当前状态。 4' h0:IDLE 4' h1:INIT_PHY 4' h2:INIT_PSRAM 4' h3:LOAD_MR 4' h4:EXE_TRANS 4' h5:RW_MR 4' h6:HS 4' h7:DPD 4' h8:EXIT_HS 4' h9:EXIT_DPD 4' ha:HW_RESET 4' hc:SW_RESET | R |
DLL_DELAY_ADJUST (Address: 0xa0)
DLL_DELAY_ADJUSTBASE + 0xa0
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:21 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 20 | RDLL1_ADJ UST_DIREC T | 选择读取DLL1的延迟链长度微调方向。 (仅在DLL校准期间有效) 1'b0:减 1'b1:加 仅适用于x16模式。 | RW |
| 19:14 | RDLL1_ADJ UST_DELAY | 基于90度相位校准的读取DLL1延迟链长度微调。 (仅在DLL校准 期间有效) 仅适用于x16模式。 | RW |
| 13 | RDLL0_ADJ UST_DIREC T | 选择读取DLL0的延迟链长度微调方向。 (仅在DLL校准期间有效) 1'b0:减 1'b1:加 | RW |
| 12:7 | RDLL0_ADJ UST_DELAY | 基于90度相位校准的读取DLL0延迟链长度微调。 (仅在DLL校准 期间有效) | RW |
| 6 | WDLL_ADJU ST_DIRECT | 选择写入DLL的延迟链长度微调方向。 (仅在DLL校准期间有效) 1'b0:减 1'b1:加 | RW |
| 5:0 | WDLL_DIRE CT_DELAY | 基于90度相位校准的写入DLL延迟链长度微调。 (仅在DLL校准期 间有效) | RW |
MEM_SPECIAL (Address: 0xa4)
MEM_SPECIALBASE + 0xa4
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8 | AP_FREQ_TY PE | 1'b0:APPSRAM频率 < = 200MHz 1'b1:APPSRAM频率 > 200MHz 此字段仅在 PSRAM_TYPE = APS128XXO / APS6408L-OBx9 / APS256yyN-OBx时适用。 | RW |
| 7:3 | RBX_WAIT | 跨行边界等待时间。 该值应为(最大tRBXwait)/ 时钟周期。 结果应向上舍入到下一个整数。 不适用于W955D8MKY、W956D8MBYA、W956A8MBYA、W958、 W959D8NFYA。 | RW |
| 2 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 1 | RBX_EN | 1'b0:当PSRAM内存的RBX(跨行边界)功能禁用时,禁用PSRAMC RBX功能。 1'b1:当PSRAM内存的RBX(跨行边界)功能启用时,启用PSRAMC RBX 功能,仅适用于 APS256yyN、APS256XXN、APS128XXO、 APS6408L-OBx9、APS6408L-OBM、W956D8NKR、W957。 PSRAMC RBX功能要求PHY_AFIFO_MODE设置为1'b0。 但是, PSRAM的可变延迟特性在MR中可以同时禁用。 对于W956D8NKR、W957,RBX_EN必须为1'b1。 不适用于W955D8MKY、W956D8MBYA、W956A8MBYA、W958、 W959D8NFYA。 | RW |
| 0 | PHY_AFIFO_ MODE | 1'b0:使用FIFO空信号读取rdata。 1'b1:使用固定延迟读取rdata(根据RFIFO_CTRL)。 对于APS内存类型,当使用可变延迟功能时,此值必须设置为0x0。 当RBX_EN启用时,此值必须设置为1'b0。 | RW |
INTR_STATUS (Address: 0xa8)
INTR_STATUSBASE + 0xa8
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:7 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 6 | MEMORY_READ _TIMEOUT | 指示读取寄存器空间或内存空间超时。 | R |
| 5 | READ_MR_ILLE GAL | 指示当内存因未初始化、DPD模式操作或复位操作等原因而未准 备好时,读取模式寄存器是非法的。 | R |
| 4:3 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 2 | CTR_INIT_DONE | 指示PSRAM控制器初始化流程完成,包括半睡眠模式和深度低功 耗模式的进入(如果有的话)。 | R |
| 1 | MEMORY_INIT_ DONE | 指示PSRAM内存初始化完成。 | R |
| 0 | PHY_INIT_DONE | 指示PHY初始化完成 | R |
INTR_CTRL (Address: 0xac)
INTR_CTRLBASE + 0xac
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:15 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 14 | MEMORY_READ_TIM EOUT_MASK | 屏蔽内存读取超时中断。 | RW |
| 13 | READ_MR_MASK | 屏蔽读取模式寄存器非法中断。 | RW |
| 12:11 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 10 | CTR_INIT_MASK | 屏蔽PSRAM控制器初始化中断。 | RW |
| 9 | MEMORY_INIT_MASK | 屏蔽PSRAM内存初始化中断。 | RW |
| 8 | PHY_INIT_MASK | 屏蔽PHY初始化中断。 | RW |
| 7 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 6 | MEMORY_READ_TIM EOUT_CLR | 清除内存读取超时中断。 控制器会自动清除此位。 | RW |
| 5 | READ_MR_CLR | 清除读取模式寄存器非法中断。 控制器会自动清除此位。 | RW |
| 4:3 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 2 | CTR_INIT_CLR | 清除PSRAM控制器初始化中断。 控制器会自动清除此位。 | RW |
| 1 | MEMORY_INIT_CLR | 清除PSRAM内存初始化中断。 控制器会自动清除此位。 | RW |
| 0 | PHY_INIT_CLR | 清除PHY初始化中断。 控制器会自动清除此位。 | RW |
INTR_TEST (Address: 0xb0)
INTR_TESTBASE + 0xb0
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8 | TEST_INTR_RAW | 选择测试之前或之后的中断。 1'b0:测试之前的原始中断 1'b1:测试之后的中断 | RW |
| 7 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 6 | MEMORY_READ_TIM EOUT_TEST | 测试内存读取超时中断。 | RW |
| 5 | READ_MR_TEST | 测试读取模式寄存器非法中断。 | RW |
| 4:3 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 2 | CTR_INIT_TEST | 测试PSRAM控制器初始化中断。 | RW |
| 1 | MEMORY_INIT_TEST | 测试PSRAM内存初始化中断。 | RW |
| 0 | PHY_INIT_TEST | 测试PHY初始化中断。 | RW |
READ_TIMEOUT (Address: 0xb4)
READ_TIMEOUTBASE + 0xb4
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31 | TIMEOUT_CFG_EN | 选择判断读超时的源。 1'b0:使用PSRAM控制器自动计算的读超时阈值 1'b1:使用用户配置的阈值 | RW |
| 30:16 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 15:8 | MR_RD_TIMEOUT | 用户设置的寄存器空间读超时阈值。 | RW |
| 7:0 | DATA_RD_TIMEOUT | 用户设置的内存空间读超时阈值。 | RW |
MR_DIE (Address: 0xb8)
MR_DIEBASE + 0xb8
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:1 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 0 | MR_DIE | 选择一个晶片来读取W959D8NFYA的模式寄存器。 1'b0:晶片0 1'b1:晶片1 | RW |
BIST_CTRL (Address: 0xd0)
BIST_CTRLBASE + 0xd0
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:19 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 18:10 | BCNT | BIST数据计数。 指定在BIST(内建自测试)期间要发送到PSRAM 的数据字节数。 BCNT的值应小于或等于9' h100(即256字节),并 且[1:0]位应设置为2'b00。 超过该限制的任何值将不会作为BIST操作 的一部分执行。 | RW |
| 9:8 | BPATTERN | 选择在 BIST(内建自测试)期间使用的数据模式: 00:用户定义的 BIST 模式 01:基于 LFSR的随机模式 10:行走 0(Walking0) 11:行走 1(Walking 1) | RW |
| 7:4 | BMASK | BIST掩码。 BMASK中的每一位对应于32位写入数据的掩码位: [0]:设置1'b1来掩码写入数据的[7:0]位,这适用于所有模式; [1]:设置1'b1来掩码写入数据的[15:8]位,这适用于所有模式; [2]:设置1'b1来掩码写入数据的[23:16]位,这适用于所有模式; [3]:设置1'b1来掩码写入数据的[31:24]位,这适用于所有模式。 | RW |
| 3:2 | BMODE | 选择 BIST 模式: 00:与 PSRAM 进行 BIST 01:与 PHY 回环进行 BIST 10:与 IO 回环进行 BIST(待定,IO 尚不支持) 11:预留位 | RW |
| 1:0 | BINST | BIST 指令。 选择 BIST 命令: 00:NBM(非 BIST 模式) 01:RUN(BIST 模式):执行 BIST 10:BR(BIST 模式):重置 BIST,清除 FIFO 和寄存器错误 11:NOP(BIST 模式):无操作 | RW |
BIST_UDP (Address: 0xd4)
BIST_UDPBASE + 0xd4
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:24 | BUDP3 | BIST 用户定义模式的[31:24] | RW |
| 23:16 | BUDP2 | BIST 用户定义模式的[23:16] | RW |
| 15:8 | BUDP1 | BIST 用户定义模式的 [15:8] | RW |
| 7:0 | BUDP0 | BIST 用户定义模式的 [7:0] | RW |
LFSR_SEED (Address: 0xd8)
LFSR_SEEDBASE + 0xd8
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:0 | LFSR_SEED | LFSR 种子,不同的种子将产生不同的伪随机数据。 | RW |
BIST_ADDR (Address: 0xdc)
BIST_ADDRBASE + 0xdc
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:0 | BIST_ADDR | BIST起始地址,应对齐到32位([1:0] == ' b00)。 | RW |
BIST_STATUS (Address: 0xe0)
BIST_STATUSBASE + 0xe0
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:20 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 19:11 | BERR_BK | 错误回读。 指示回读数据中错误数据的字节数。 | R |
| 10:2 | BCNT_BK | 计数回读。 指示在BIST期间从PSRAM读取回的数据的字节数。 | R |
| 1 | BERR | BIST错误。 指示在BIST运行期间发生的错误。 | R |
| 0 | BDONE | BIST完成。 触发BIST运行/重置将使BDONE信号取消断言。 | R |
BIST_DATA_BACK (Address: 0xe4)
BIST_DATA_BACKBASE + 0xe4
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:0 | BIST_DATA_BACK | BIST数据回读是在上次读取操作期间读取回的数据。 | R |
BIST_BIT_ERR0 (Address: 0xe8)
BIST_BIT_ERR0BASE + 0xe8
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ8_ERR | BIST错误计数用于dq8(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ0_ERR | BIST错误计数用于dq0 | R |
BIST_BIT_ERR1 (Address: 0xec)
BIST_BIT_ERR1BASE + 0xec
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ9_ERR | BIST错误计数用于dq9(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ1_ERR | BIST错误计数用于dq1 | R |
BIST_BIT_ERR2 (Address: 0xf0)
BIST_BIT_ERR2BASE + 0xf0
| Bit | 31 | 30 | 29 | 28 | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | 19 | 18 | 17 | 16 | 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 字段 | Reserved | BDQ10_ERR | Reserved | BDQ2_ERR | ||||||||||||||||||||||||||||
| RST | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ10_ERR | BIST 错误计数用于 dq10(仅在 x16 模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ2_ERR | BIST 错误计数用于 dq2。 | R |
BIST_BIT_ERR3 (Address: 0xf4)
BIST_BIT_ERR3BASE + 0xf4
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ11_ERR | BIST错误计数用于dq11(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ3_ERR | BIST错误计数用于dq3 | R |
BIST_BIT_ERR4 (Address: 0xf8)
BIST_BIT_ERR4BASE + 0xf8
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ12_ERR | BIST错误计数用于dq12(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ4_ERR | BIST错误计数用于dq4 | R |
BIST_BIT_ERR5 (Address: 0xfc)
BIST_BIT_ERR5BASE + 0xfc
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ13_ERR | BIST错误计数用于dq13(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ5_ERR | BIST错误计数用于dq5 | R |
BIST_BIT_ERR6 (Address: 0x100)
BIST_BIT_ERR6BASE + 0x100
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ14_ERR | BIST错误计数用于dq14(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ6_ERR | BIST错误计数用于dq6 | R |
BIST_BIT_ERR7 (Address: 0x104)
BIST_BIT_ERR7BASE + 0x104
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:25 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 24:16 | BDQ15_ERR | BIST错误计数用于dq15(仅在x16模式下使用)。 | R |
| 15:9 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 8:0 | BDQ7_ERR | BIST错误计数用于dq7 | R |
IO_CTRL0(Address: 0x200)
IO_CTRL0BASE + 0x200
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:10 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 9:8 | ZLSB | 输出阻抗的精细控制(二进制LSB) ZLSB[0]:下拉输出阻抗 ZLSB[1]:上拉输出阻抗 配置{ZCTRL[3:0], ZLSB[0]}或者{ZCTRL[7:4], ZLSB[1]}为 5’b0 会 导致驱动关闭 | RW |
| 7:0 | ZCTRL | 阻抗控制:结合ZLSB控制输出阻抗值 ZCTRL[3:0]:控制下拉输出阻抗 ZCTRL[7:4]:控制上拉输出阻抗 ZCTRL的编码方式为格雷码 | RW |
IO_CTRL1(Address: 0x204)
IO_CTRL1BASE + 0x204
| 位 | 名称 | 说明 | RW |
|---|---|---|---|
| 31:18 | Reserved | 写入无影响,读取为零。 | R |
| 17:16 | DQS_PDR | dqs[1:0] 接收器断电,高有效 0:正常操作 1:输入缓存被断电。 当接收器断电时,DI与DT被设置为逻辑0。 当PDR信号被激活时,接收器将停止工作。 | RW |
| 15:0 | DQ_PDR | dq[15:0] 接收器断电,高有效 0:正常操作 1:输入缓存被断电。 当接收器断电时,DI与DT被设置为逻辑0。 当PDR信号被激活时,接收器将停止工作。 | RW |