操作流程

电源启动顺序如图 1 所示，仅供参考。该顺序包括以下步骤：

1. 上电整个芯片，确保至少 PSRAM 控制器和 PSRAM 已上电。

2. 复位控制器，使用输入引脚：ctrl_rst_n、axi_rst_n/hresetn 和 prst_n。

3. 执行 DLL 预初始化过程，如图 2 所示。

4. 初始化 PSRAM 控制器，包括数字 PHY 初始化和 PSRAM 初始化，如图 3 所示。

完成这些步骤后，系统即可进行正常操作，包括读写操作。

DLL 预初始化

在初始化 PSRAM 控制器之前，需要按照图 2 所示的过程进行，以确保 DLL（延迟锁相环）准备好进行初始化。否则，在 DLL 初始化过程中可能会导致不正确的相位值，从而影响后续操作的正常进行。通常，这一步骤仅在初次上电时执行，并且必须在触发 CTRL_REG 之前完成（如果之后再次触发，则不需要重复执行；只需确保 *DELAY_INIT 值适当即可）。这一步确保 DLL 在校准后能够获得 90° 的相位偏移，而不是其他相位。

一般来说，这个过程仅在首次上电时需要执行，后续的 DLL 校准不需要此步骤。然而，如果有其他特殊要求（例如在未上电的情况下）来执行该步骤，应首先配置 DLL_DELAY_CTRL，确保以下设置：

• WDLL_DELAY = WDLL_DELAY_INIT,

• RDLL0_DELAY = RDLL0_DELAY_INIT,

• RDLL1_DELAY = RDLL1_DELAY_INIT.

然后，按照图 2 所示的过程继续操作。

PSRAM 控制器初始化

一旦 DLL 准备好进行校准操作，就可以触发 PSRAM 控制器和 PSRAM 的初始化过程。主要的寄存器配置步骤如下。请注意，寄存器的默认值是为 APS256XXN x16 模式下的 200 MHz 频率定义的，可以根据具体的客户需求通过宏定义进行修改。

1. 使用 CFG_REG 寄存器选择数据位宽和 PSRAM 型号。

2. 根据选择的时钟频率，通过参考 PSRAM 数据手册配置 AC 时序参数、读/写延迟等。有关相关寄存器的信息，参考“寄存器描述”章节。

3. 根据选择的工作模式，将 PSRAM 的模式寄存器配置写入 MR_INIT 寄存器。这些配置将在初始化过程中写入 PSRAM 的模式寄存器。注意：在硬件复位或退出深度低功耗模式后，如果需要重新配置 PSRAM，则需要重新配置 MR_INIT 寄存器。

4. 通过向 CTRL_REG 寄存器写入 1'b1 来启动控制器。

5. 等待控制器完成初始化。通过轮询 INITIAL_STATUS 寄存器获取初始化状态，如果 PSRAM_INITIAL 和 PHY_INITIAL 均为 1，则表示控制器已准备好进行正常的读/写操作。

正常读/写

• 读/写模式寄存器–读取或写入模式寄存器 MR0、MR1、MR2、MR3、MR4 和 MR8（如适用）。

• 读/写内存数组：

• 对于 AXI 接口，axsize 可以是 1、2、4、8 或 16 字节；突发类型应为 INCR 或 WRAP。

• 对于 AHB 接口，hsize 可以是 1、2、4、8 或 16 字节；突发类型可以是 SINGLE、INCR、INCR4/8/16、WRAP4/8/16；地址应与 hsize 对齐。