DATASHEET / ELECTRICAL

运行条件

本节给出 G32S10x 系列的电源、封装与工作频率等主要参数，以及推荐工作温度和热阻参数。除特别说明外，参数均在 25 ℃ 环境温度下给出。

表 1. 主要参数

项目	特性
电源供应电压	通用输入/输出：1.8V，3.3V VDDMEM：1.8V EFUSE 编程：1.8V ± 5% 模拟电源 1：1.8V ± 10% 模拟电源 2：3.3V ± 10% 内核：0.9V
封装	QFN68，7 x 7 mm，0.35 mm 间距 QFN100，10 x 10 mm，0.35 mm 间距 QFN128，12.3 x 12.3 mm，0.35 mm 间距
工作频率	800 MHz

表 2. 推荐工作条件（温度）

T_A 的最小值与最大值待定（TBD），后续版本更新。

表 3. 热阻参数（环境温度 25 ℃）

封装标准	θ_JA（℃/W）	θ_JB（℃/W）	θ_JC（℃/W）
JEDEC 2S2P	TBD	TBD	TBD

热阻参数为待定值（TBD），封装散热设计请以最终版本数据手册为准。